等離子增強化學氣相沉積

① 金屬有機化學氣相沉積系統（MOCVD）與LED的關系

金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）是一種合成方法，尤其適合於膜合成。
而發光二極體（LED）是一種半導體器件，本無關聯；只是LED中廣泛用到膜技術製造。
成膜技術很多，除了MOCVD外，還有低壓CVD(LPCVD)，等離子體增強CVD (PECVD)，液相外延(LPE)，溶膠凝膠(sol-gel)，化學浴沉積(CBD)等等，種類繁多，可見LED器件並不是必須使用MOCVD法。

② 等離子體輔助化學氣相沉積pevcd基片上加負偏壓為什麼效果不好，磁控設備用都可以。為什麼。哪位大俠幫個忙

你放電裝置出現的問題在於：
採用了DC放電，需要電流迴路。
DC放電的高壓電極為負壓，當基片加置負偏壓時，DC電源（用於放電那個）不同通過基片分支放電，由此出現你所說的不能起輝。
你這種放電方式可以實現所謂的不等位輝光放電（太原工學院，徐重教授專利），實際上是變形的空心陰極放電，可以實現高放電電流工作。
你目前沒有獲得這種有益效應，可以如下嘗試：
（1）先啟動DC放電並保持偏壓電源輸出（偏壓電源是否對地輸出？）為零，達到放電最高功率後，再開啟偏壓電源；
（2）控制裝置地，用絕緣物覆蓋靠近電極附近的金屬腔體，使放電迴路向下延伸；
（3）提高偏壓電源輸出電壓、功率，電壓絕對值低於DC放電電壓，二者形成不等位的空心陰極放電。

③ 微波等離子體化學氣象沉積的工作原理

CVD法制備金剛石膜的工藝已經開發出很多種，其中主要有：熱絲法（Hot Filament CVD, 簡稱HFCVD）[1]、微波法（Microwave Plasma CVD, 簡稱MPCVD）[2]、直流等離子體炬法（DC Plasma-jet CVD）[3]和氧-乙炔燃燒火焰法（Oxy-acetylene Combustion Flame）[4]。其中，微波法是用電磁波能量來激發反應氣體。由於是無極放電，等離子體純凈，同時微波的放電區集中而不擴展，能激活產生各種原子基團如原子氫等，產生的離子的最大動能低，不會腐蝕已生成的金剛石。與熱絲法相比，避免了熱絲法中因熱金屬絲蒸發而對金剛石膜的污染[5]以及熱金屬絲對強腐蝕性氣體如高濃度氧、鹵素氣體等十分敏感等缺點，使得在工藝中能夠使用的反應氣體的種類比HFCVD中多許多；與直流等離子體炬相比，微波功率調節連續平緩，使得沉積溫度可連續穩定變化，克服了直流電弧法中因電弧的點火及熄滅而對襯底和金剛石膜的巨大熱沖擊而造成在DC plasma-jet CVD中金剛石膜很容易從基片上脫落[6]；通過對MPCVD沉積反應室結構的結構調整，可以在沉積腔中產生大面積而又穩定的等離子體球，因而有利於大面積、均勻地沉積金剛石膜，這一點又是火焰法所難以達到的[7]，因而微波等離子體法制備金剛石膜的優越性在所有制備法中顯得十分的突出

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④ 磁控濺射鍍膜與等離子體化學氣相沉積鍍膜的區別

樓主概念不對
膜層一般為蒸發鍍膜、濺射鍍膜、噴塗鍍膜、電離鍍膜等方法。內
濺射鍍膜過程中，在靶與容基體之間形成了含有離子、電子、中性原子團組成的對外顯中性的氣體，這就是等離子體。
濺射鍍膜過程分為物理氣象沉積、化學氣象沉積、物理/化學氣象沉積他們都是在等離子體中形成的。
物理氣象沉積，是等離子體中的正離子轟擊靶表面轟擊來的分子/原子濺射到基體表面，飛行過程中並為發生任何反應。
化學氣象沉積，是等離子體中的正離子轟擊靶表面轟出來的分子/原子濺射到基體表面，飛行過程中發生了化學反應。
不過一般的磁控濺射都是物理、化學氣象沉積的共同結果。
我這樣說樓主是否能夠清楚一些？

⑤ 想進口PECVD氣相沉積設備報關怎麼處理

PECVD方法區別於其它CVD方法的特點在於等離子體中含有大量高能量的電子，它們可以提供化學氣相沉積過程所需的激活能。電子與氣相分子的碰撞可以促進氣體分子的分解、化合、激發和電離過程，生成活性很高的各種化學基團，因而顯著降低CVD薄膜沉積的溫度范圍，使得原來需要在高溫下才能進行的CVD過程得以在低溫實現。由於PECVD方法的主要應用領域是一些絕緣介質薄膜的低溫沉積，因而PECVD技術中等離子體的產生也多藉助於射頻的方法。本實驗室使用射頻等離子體增強化學氣相沉積（RF-PECVD），射頻電源採用電容耦合方式，射頻頻率為27.12MHz。

⑥ 解釋一下化學氣相沉積法制備納米材料

化學氣相沉積可以分為有基底沉積和無基底沉積。
有基底沉積又分為催化沉積和無催化沉積；
催化沉積往往用於區域選擇性沉積或特定形貌納米材料的沉積；
無催化沉積常用於製作各種膜材料；
無基底沉積往往利用氣相分解，可以得到各種納米粉體，使用相對較少。

⑦ 等離子體增強化學氣相沉積PEVCD的研究現狀

標題：圖抄4銥塗層的化學氣相襲沉積裝置示意圖 Fig.4 Schematic diagram of CVD apparatus for iridium coat-ings
篇名：化學氣相沉積技術與材料制備
說明：80年代中期以來美國國家航空與宇宙航天局(NASA)採用金屬有機化合物化學氣相沉積法(MOCVD)成功制備出錸基銥塗層復合噴管[14~19],化學氣相矯JFD2001

⑧ 標准型等離子體化學氣相淀積台、全自動型等離子體化學氣相淀積台，是干什麼用的呢

等離子體化學氣相沉積是一種薄膜生長工藝，相應的儀器用來制備薄膜。標准和全自動是儀器功能上的區別。

⑨ 微波等離子體化學氣象沉積是什麼

微波等離子體 CVD （Microwave PCVD, MPCVD）將微波發生器產生的微波用波導管經隔離器進入反應器，並通入 CH4與 H2的混合氣體，在微波的激勵下，在反應室內產生輝光放電，使反應氣體的分子離化，產生等離子體，在襯底上沉積得到金剛石膜。
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