化学气相沉积炉
化学抄气相沉积过程袭中有化学反应，多种材料相互反应，生成新的的材料。
物理气相沉积中没有化学反应，材料只是形态有改变。
物理气相沉积技术工艺过程简单，对环境改善，无污染，耗材少，成膜均匀致密，与基体的结合力强。缺点膜一基结合力弱,镀膜不耐磨, 并有方 向性
化学杂质难以去除。优点可造金属膜、非金属膜,又可按要求制造多成分的合金膜,成膜速度快,膜的绕射性好
B. 化学气相沉积法需要哪些实验仪器和药品
1,首先你需要一台化学气相沉积机台，常见的有牛津的PECVD几台。
2,药品的话主要是一切特殊气体，如硅烷，氮气，氨气，氧气，笑气，氟化碳气体等。
3,试验步骤建议使用田口的DOE实验法，这样你可以省去一些不必要的试验。
C. 化学气相沉积的特点
1)在中温或高温下，通过气态的初始化合物之间的气相化学反应而形成固体物质沉积在基体上。
2)可以在常压或者真空条件下(负压“进行沉积、通常真空沉积膜层质量较好)。
3)采用等离子和激光辅助技术可以显著地促进化学反应，使沉积可在较低的温度下进行。
4)涂层的化学成分可以随气相组成的改变而变化，从而获得梯度沉积物或者得到混合镀层。
5)可以控制涂层的密度和涂层纯度。
6)绕镀件好。可在复杂形状的基体上以及颗粒材料上镀膜。适合涂覆各种复杂形状的工件。由于它的绕镀性能好，所以可涂覆带有槽、沟、孔，甚至是盲孔的工件。
7)沉积层通常具有柱状晶体结构，不耐弯曲，但可通过各种技术对化学反应进行气相扰动，以改善其结构。
8)可以通过各种反应形成多种金属、合金、陶瓷和化合物涂层。
D. 热化学的气相沉积
热化学气相沉积是指采用衬底表面热催化方式进行的化学气相沉积。该方法沉积温度较高，一般在800℃~1200℃左右，这样的高温使衬底的选择受到很大限制，但它是化学气相沉积的经典方法。
E. 什么是化学气相沉积
化学气复相沉积是半导体技术制中一种常用的薄膜生长技术，这种技术使用化学的方法来沉积薄膜。化学气相沉积包括
MOCVDPECVD
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vapor
deposition
ja:化学気相成长
F. 化学气相沉积和物理气相沉积有何区别
我翻了《材料概论》半天终于找到。化学气相沉积法CVD和等离子气相沉积法PCVD两者都是利用化学气相法制备纳米粉体的方法，在气象条件下，首先形成离子或原子，然后长大形成所需粉体，得到超细粉体。对于他们的不同，CVD是在高温远高于临界温度下，产物蒸汽形成过饱和蒸气压，自动凝聚成晶核，在聚集成颗粒，在低温区得到纳米粉体。可以选择条件来控制粉体的大小形状等。对于PCVD，它是利用电弧产生高温，将气体等离子化，然后这些离子逐渐长大聚合，形成超细粉体，该方法反应温度高，升温冷却速率较快。
G. 如何用化学气相沉积法生长碳纳米管
将制备好的催化剂置于气氛炉中，升温至约400-900度通入碳源（一般为烃），一般不到1个小时即可有碳管生成。
H. 名词解释 化学气相沉积技术
化学气相沉积是一种材料表面改性技术,它是在不改变基体材料的成份和不削弱基内体材料的强度的条件下容,赋予材料表面特殊的性能,满足工程实际中对材料的要求。主要通过挥发物气体分解或化合反应后在基体材料的表面沉积成膜,利用气态或蒸汽态的物质在气相或气固界面上反应生成固态沉积物的技术。这种膜强化技术选用的基材广泛、适用面广。
I. 物理气相沉积法与化学气相沉积法有何区别
物理气相沉积法与化学气相沉积法有何区别
太一般了,CVD,PCD包含了多种制备方法,通过不同的制备方法制得的薄膜的结构和性质是不太一样的...然而,比一般的CVD法的PVD的稳定性更好,但PVD增长通过以下方式获得的膜的膜是比较快的