等离子体化学气相沉积

❶ 微波等离子体化学气象沉积的工作原理

CVD法制备金刚石膜的工艺已经开发出很多种，其中主要有：热丝法（Hot Filament CVD, 简称HFCVD）[1]、微波法（Microwave Plasma CVD, 简称MPCVD）[2]、直流等离子体炬法（DC Plasma-jet CVD）[3]和氧-乙炔燃烧火焰法（Oxy-acetylene Combustion Flame）[4]。其中，微波法是用电磁波能量来激发反应气体。由于是无极放电，等离子体纯净，同时微波的放电区集中而不扩展，能激活产生各种原子基团如原子氢等，产生的离子的最大动能低，不会腐蚀已生成的金刚石。与热丝法相比，避免了热丝法中因热金属丝蒸发而对金刚石膜的污染[5]以及热金属丝对强腐蚀性气体如高浓度氧、卤素气体等十分敏感等缺点，使得在工艺中能够使用的反应气体的种类比HFCVD中多许多；与直流等离子体炬相比，微波功率调节连续平缓，使得沉积温度可连续稳定变化，克服了直流电弧法中因电弧的点火及熄灭而对衬底和金刚石膜的巨大热冲击而造成在DC plasma-jet CVD中金刚石膜很容易从基片上脱落[6]；通过对MPCVD沉积反应室结构的结构调整，可以在沉积腔中产生大面积而又稳定的等离子体球，因而有利于大面积、均匀地沉积金刚石膜，这一点又是火焰法所难以达到的[7]，因而微波等离子体法制备金刚石膜的优越性在所有制备法中显得十分的突出

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❷ 磁控溅射镀膜与等离子体化学气相沉积镀膜的区别

楼主概念不对
膜层一般为蒸发镀膜、溅射镀膜、喷涂镀膜、电离镀膜等方法。内
溅射镀膜过程中，在靶与容基体之间形成了含有离子、电子、中性原子团组成的对外显中性的气体，这就是等离子体。
溅射镀膜过程分为物理气象沉积、化学气象沉积、物理/化学气象沉积他们都是在等离子体中形成的。
物理气象沉积，是等离子体中的正离子轰击靶表面轰击来的分子/原子溅射到基体表面，飞行过程中并为发生任何反应。
化学气象沉积，是等离子体中的正离子轰击靶表面轰出来的分子/原子溅射到基体表面，飞行过程中发生了化学反应。
不过一般的磁控溅射都是物理、化学气象沉积的共同结果。
我这样说楼主是否能够清楚一些？

❸ 化学沉积的化学气相沉积CVD

(Chemical Vapor Deposition)是利用加热，等离子体激励或光辐射等方法，使气态或蒸汽状态的化学物内质发生反应并以原容子态沉积在置于适当位置的衬底上，从而形成所需要的固态薄膜或涂层的过程。化学气相沉积是一种非常灵活、应用极为广泛的工艺方法，可以用来制备各种涂层、粉末、纤维和成型元器件。特别在半导体材料的生产方面，化学气相沉积的外延生长显示出与其他外延方法（如分子束外延、液相外延）无与伦比的优越性，即使在化学性质完全不同的衬底上，利用化学气相沉积也能产生出晶格常数与衬底匹配良好的外延薄膜。此外，利用化学气相沉积还可生产耐磨、耐蚀、抗氧化、抗冲蚀等功能涂层。在超大规模集成电路中很多薄膜都是采用CVD方法制备。

❹ 物理气相沉积法与化学气相沉积法有何区别

物理气相沉积法与化学气相沉积法有何区别
太一般了,CVD,PCD包含了多种制备方法,通过不同的制备方法制得的薄膜的结构和性质是不太一样的...然而,比一般的CVD法的PVD的稳定性更好,但PVD增长通过以下方式获得的膜的膜是比较快的

❺ 等离子体增强化学气相沉积PEVCD的研究现状

标题：图抄4铱涂层的化学气相袭沉积装置示意图 Fig.4 Schematic diagram of CVD apparatus for iridium coat-ings
篇名：化学气相沉积技术与材料制备
说明：80年代中期以来美国国家航空与宇宙航天局(NASA)采用金属有机化合物化学气相沉积法(MOCVD)成功制备出铼基铱涂层复合喷管[14~19],化学气相矫JFD2001