化學蝕刻液

㈠ 蝕刻液主要是干什麼 用的

蝕刻液的主要作用：利用化學品的特性（化學反應）蝕刻（腐蝕）各種金屬的化學葯水，不同金屬的蝕刻液成份是不同的。

㈡ 電蝕刻和化學蝕刻各有什麼優缺點

電蝕刻:電蝕刻是利用金屬在以自來水或鹽水為蝕刻主體的液體中發生陽極溶解的原理，（電解的作用下）將金屬進行蝕刻，接通蝕刻電源，從而達到蝕刻的目的。現在市售的電解蝕刻機都是手動噴淋式的，並且都是以鹽水為蝕刻溶液，功率有大小二種，優點是無污染，操作方便，適合實驗生產、凹字小面積蝕刻。主要用做研究實驗機，或者簡單的在金屬上蝕刻標記，也稱為電打標。缺點是不能大量生產，也不能做凸字大面積蝕刻。不能用做標牌的大批量生化學蝕刻:1、此技術改進了傳統的金屬處理方法。
2、這種技術可以通過數據,圖表.設計及復雜的柱狀等來加工凹凸的金屬產品。
3、蝕刻技術可以用於製作為孔型及各種形式。
二.蝕刻網技術標准
1、機械製作的最小絲經為0.02mm
2、最大生產面積為500mm*600mm
3、材料的厚度為0.02mm - 0.5mm
三、化學蝕刻適用范圍：
1、可加工的金屬種類：各種金屬、合金及不銹鋼板材、帶材；
2、板材厚度范圍：2mm及以下薄板，特別適用0.5mm以下薄板；
3、行業用途：
（1）石油、化工、食品、制葯用精密過濾網、過濾板、過濾筒、過濾器；
（2）電子行業用金屬漏板、蓋板、平面引腳、引線框架、金屬基片；
（3）精密光學及機械平面零件、彈簧零件；
（4）摩擦片及其它凹凸型平面零件；
（5）金屬標牌及圖案復雜的金屬裝飾板和精美工藝品。

㈢ 請問，鐵鉻鋁合金的化學蝕刻液配方

我認為硝酸銨和氯化鐵的存在沒有意義.
硝酸銨是利用H+的氧化性,而溶液中已有大量H+,抑制NH4+水解.
氯化鐵主要利用Fe3+的氧化性,但溶液中已有NO3-和Cl-,氧化性強於Fe3+,而大量Cl-的存在可能會引起鈍化,影響鏤蝕.

㈣ 什麼叫酸性蝕刻液

蝕刻液分類
目前已經使用的蝕刻液類型有六種類型： 酸性氯化銅 鹼性氯化銅 氯化鐵 過硫酸銨 硫酸/鉻酸 硫酸/雙氧水蝕刻液。
編輯本段各種蝕刻液特點
酸性氯化銅蝕刻液
1) 蝕刻機理： Cu+CuCl2→Cu2Cl2 Cu2Cl2+4Cl-→2(CuCl3)2- 2) 影響蝕刻速率的因素：影響蝕刻速率的主要因素是溶液中Cl-、Cu+、Cu2+的含量及蝕刻液的溫度等。 a、Cl-含量的影響：溶液中氯離子濃度與蝕刻速率有著密切的關系，當鹽酸濃度升高時，蝕刻時間減少。在含有6N的HCl溶液中蝕刻時間至少是在水溶液里的1/3，並且能夠提高溶銅量。但是，鹽酸濃度不可超過6N，高於6N鹽酸的揮發量大且對設備腐蝕，並且隨著酸濃度的增加，氯化銅的溶解度迅速降低。 添加Cl-可以提高蝕刻速率的原因是：在氯化銅溶液中發生銅的蝕刻反應時，生成的Cu2Cl2不易溶於水，則在銅的表面形成一層氯化亞銅膜，這種膜能夠阻止反應的進一步進行。過量的Cl-能與Cu2Cl2絡合形成可溶性的絡離子(CuCl3)2-，從銅表面上溶解下來，從而提高了蝕刻速率。 b、Cu+含量的影響：根據蝕刻反應機理，隨著銅的蝕刻就會形成一價銅離子。較微量的Cu+就會顯著的降低蝕刻速率。所以在蝕刻操作中要保持Cu+的含量在一個低的范圍內。 c、Cu2+含量的影響：溶液中的Cu2+含量對蝕刻速率有一定的影響。一般情況下，溶液中Cu2+濃度低於2mol/L時，蝕刻速率較低；在2mol/L時速率較高。隨著蝕刻反應的不斷進行，蝕刻液中銅的含量會逐漸增加。當銅含量增加到一定濃度時，蝕刻速率就會下降。為了保持蝕刻液具有恆定的蝕刻速率，必須把溶液中的含銅量控制在一定的范圍內。 d、溫度對蝕刻速率的影響：隨著溫度的升高，蝕刻速率加快，但是溫度也不宜過高，一般控制在45~55℃范圍內。溫度太高會引起HCl過多地揮發，造成溶液組分比例失調。另外，如果蝕刻液溫度過高，某些抗蝕層會被損壞。
鹼性氯化銅蝕刻液
1) 蝕刻機理： CuCl2+4NH3→Cu(NH3)4Cl2 Cu(NH3)4Cl2+Cu→2Cu(NH3)2Cl 2) 影響蝕刻速率的因素：蝕刻液中的Cu2+濃度、pH值、氯化銨濃度以及蝕刻液的溫度對蝕刻速率均有影響。 a、Cu2+離子濃度的影響：Cu2+是氧化劑，所以Cu2+的濃度是影響蝕刻速率的主要因素。研究銅濃度與蝕刻速率的關系表明：在0~82g/L時，蝕刻時間長；在82~120g/L時，蝕刻速率較低，且溶液控制困難；在135~165g/L時，蝕刻速率高且溶液穩定；在165~225g/L時，溶液不穩定，趨向於產生沉澱。 b、溶液pH值的影響：蝕刻液的pH值應保持在8.0~8.8之間，當pH值降到8.0以下時，一方面對金屬抗蝕層不利；另一方面，蝕刻液中的銅不能被完全絡合成銅氨絡離子，溶液要出現沉澱，並在槽底形成泥狀沉澱，這些泥狀沉澱能在加熱器上結成硬皮，可能損壞加熱器，還會堵塞泵和噴嘴，給蝕刻造成困難。如果溶液pH值過高，蝕刻液中氨過飽和，游離氨釋放到大氣中，導致環境污染；同時，溶液的pH值增大也會增大側蝕的程度，從而影響蝕刻的精度。 c、氯化銨含量的影響：通過蝕刻再生的化學反應可以看出：[Cu(NH3)2]+的再生需要有過量的NH3和NH4Cl存在，如果溶液中缺乏NH4Cl，大量的[Cu(NH3)2]+得不到再生，蝕刻速率就會降低，以致失去蝕刻能力。所以，氯化銨的含量對蝕刻速率影響很大。隨著蝕刻的進行，要不斷補加氯化銨。 d、溫度的影響：蝕刻速率與溫度有很大關系，蝕刻速率隨著溫度的升高而加快。蝕刻液溫度低於40℃，蝕刻速率很慢，而蝕刻速率過慢會增大側蝕量，影響蝕刻質量；溫度高於60℃，蝕刻速率明顯增大，但NH3的揮發量也大大增加，導致污染環境並使蝕刻液中化學組分比例失調。故溫度一般控制在45~55℃為宜。
氯化鐵蝕刻液
1) 蝕刻機理： FeCl3+Cu→FeCl2+CuCl FeCl3+CuCl→FeCl2+CuCl2 CuCl2+Cu→2 CuCl 2) 影響蝕刻速率的因素： a、Fe3+濃度的影響：Fe3+的濃度對蝕刻速率有很大的影響。蝕刻液中Fe3+濃度逐漸增加，對銅的蝕刻速率相應加快。當所含超過某一濃度時，由於溶液粘度增加，蝕刻速率反而有所降低。 b、蝕刻液溫度的影響：蝕刻液溫度越高，蝕刻速率越快，溫度的選擇應以不損壞抗蝕層為原則，一般在40~50℃為宜。 c、鹽酸添加量的影響：在蝕刻液中加入鹽酸，可以抑制FeCl3水解，並可提高蝕刻速率，尤其是當溶銅量達到37.4g/L後，鹽酸的作用更明顯。但是鹽酸的添加量要適當，酸度太高，會導致液態光致抗蝕劑塗層的破壞。 d、蝕刻液的攪拌：靜止蝕刻的效率和質量都是很差的，原因是在蝕刻過程中在板面和溶液里會有沉澱生成，而使溶液呈暗綠色，這些沉澱會影響進一步的蝕刻。
過硫酸銨蝕刻液
蝕刻機理： Cu+(NH4)2S2O8→CuSO4+(NH4)2SO4 (NH4)2S2O8+H2O→H2SO4+(NH4)2SO4+(O) Cu+(O) + H2SO4→CuSO4+H2O 若添加銀作為催化劑， Ag++ S2O82-→2SO42-+ Ag3+ Ag3++Cu→Cu2++ Ag+
硫酸/鉻酸蝕刻液
蝕刻機理： CrO3+H2O→H2CrO4 2H2CrO4+3Cu→Cr2O3+3CuO+2H2O Cr2O3+3CuO+6H2SO4→Cr2(SO4)3+3CuSO4+6H2O 總反應式為：2CrO3+3Cu+6H2SO4→Cr2(SO4)3+3CuSO4+6H2O
硫酸/雙氧水蝕刻液
蝕刻機理： H2O2→H2O+(O) Cu+(O) →CuO CuO+H2SO4→H2O+CuSO4 總反應式為：Cu+H2O2+H2SO4→2H2O+CuSO4 2、 蝕刻工藝流程 應用酸性蝕刻液進行蝕刻的典型工藝流程如下： 印製正圖像的印製板→檢查修版→鹼性清洗（可選擇）→水洗→表面微蝕刻（可選擇）→水洗→檢查→酸性蝕刻→水洗→酸性清洗例如5%～10%HCl→水洗→吹乾→檢查→去膜 ↑ 再生 應用鹼性蝕刻液進行蝕刻的典型工藝流程如下： 鍍覆金屬抗蝕層的印製板→去膜→水洗→吹乾→檢查修版→鹼性蝕刻→用不含Cu2+的補加液二次蝕刻→水洗→吹乾→檢查

㈤ 什麼是酸性蝕刻液

酸性氯化銅蝕刻液 1) 蝕刻機理： Cu+CuCl2→Cu2Cl2 Cu2Cl2+4Cl-→2(CuCl3)2- 2) 影響蝕刻速率的因素：影響蝕刻速率的主要因素是溶液中Cl-、Cu+、Cu2+的含量及蝕刻液的溫度等。 a、Cl-含量的影響：溶液中氯離子濃度與蝕刻速率有著密切的關系，當鹽酸濃度升高時，蝕刻時間減少。在含有6N的HCl溶液中蝕刻時間至少是在水溶液里的1/3，並且能夠提高溶銅量。但是，鹽酸濃度不可超過6N，高於6N鹽酸的揮發量大且對設備腐蝕，並且隨著酸濃度的增加，氯化銅的溶解度迅速降低。 添加Cl-可以提高蝕刻速率的原因是：在氯化銅溶液中發生銅的蝕刻反應時，生成的Cu2Cl2不易溶於水，則在銅的表面形成一層氯化亞銅膜，這種膜能夠阻止反應的進一步進行。過量的Cl-能與Cu2Cl2絡合形成可溶性的絡離子(CuCl3)2-，從銅表面上溶解下來，從而提高了蝕刻速率。 b、Cu+含量的影響：根據蝕刻反應機理，隨著銅的蝕刻就會形成一價銅離子。較微量的Cu+就會顯著的降低蝕刻速率。所以在蝕刻操作中要保持Cu+的含量在一個低的范圍內。 c、Cu2+含量的影響：溶液中的Cu2+含量對蝕刻速率有一定的影響。一般情況下，溶液中Cu2+濃度低於2mol/L時，蝕刻速率較低；在2mol/L時速率較高。隨著蝕刻反應的不斷進行，蝕刻液中銅的含量會逐漸增加。當銅含量增加到一定濃度時，蝕刻速率就會下降。為了保持蝕刻液具有恆定的蝕刻速率，必須把溶液中的含銅量控制在一定的范圍內。 d、溫度對蝕刻速率的影響：隨著溫度的升高，蝕刻速率加快，但是溫度也不宜過高，一般控制在45~55℃范圍內。溫度太高會引起HCl過多地揮發，造成溶液組分比例失調。另外，如果蝕刻液溫度過高，某些抗蝕層會被損壞。

㈥ 什麼是蝕刻什麼是濕蝕刻蝕刻用的化學葯水有

蝕刻(etching)是將材料使用化學反應或物理撞擊作用而移除的技術。蝕刻技術可以分為濕蝕刻(wet etching)和干蝕刻(dry etching)兩類。濕蝕刻就是利用合適的化學溶液腐蝕去除材質上未被光阻覆蓋（感光膜）的部分，達到一定的雕刻深度。蝕刻精度高，則可以完成精度要求更高的精細零件的加工，擴大蝕刻應用的范圍。目前已經使用的蝕刻液類型有六種類型：
酸性氯化銅
鹼性氯化銅
氯化鐵
過硫酸銨
硫酸/鉻酸
硫酸/雙氧水蝕刻液。

㈦ 化學蝕刻機蝕刻液的壓力是有多少

金屬深蝕刻是2.5~3.5kg/cm²，減薄的可以分管調壓，還是要取決於你是做什麼產品的，可以網路搜下：「金屬蝕刻機」，佛山鑫恆力設備這家裡面有很多化學蝕刻機的技術參數介紹。

㈧ 刻蝕液再生的化學原理是

應該是蝕刻液再生吧，是印製電路板(PCB)蝕刻線上排出的蝕刻母液採用封閉式循環系統，經蝕刻液再生循環設備將其中的銅離子萃取出來再返回生產線的過程。
印製電路板加工的典型工藝採用"圖形電鍍法"。即先在板子外層需保留的銅箔部分上預鍍一層鉛錫抗蝕層，然後用化學方式將其餘的銅箔腐蝕掉,稱為蝕刻。
在蝕刻過程中，板面上的銅被[Cu(NH3)4]2+絡離子氧化，其蝕刻反應如下:
Cu(NH3)4Cl2+Cu →2Cu(NH3)2Cl
所生成的[Cu(NH3)2]1+為Cu1+的絡離子，不具有蝕刻能力。在有過量NH3和Cl-的情況下，能很快地被空氣中的O2所氧化，生成具有蝕刻能力的[Cu(NH3)4]2+絡離子，其再生反應如下:
2Cu(NH3)2Cl+2NH4Cl+2NH3+1/2 O2 →2Cu(NH3)4Cl2+H2O
從上述反應可看出，每蝕刻1克分子銅需要消耗2克分子氨和2克分子氯化銨。因此，在蝕刻過程中，隨著銅的溶解，要不斷補加氨水和氯化銨，因而蝕刻槽母液會不斷增加。由於所生成的[Cu(NH3)2]1+為Cu1+的絡離子，不具有蝕刻能力，所以必須排除部分母液，增加新的子液來滿足蝕刻要求。

㈨ 什麼是化學蝕刻

化學蝕刻（Chemical etching）
蝕刻是將材料使用化學反應或物理撞擊作用而移除的技術。
蝕刻技術可以分為『濕蝕刻』(wet etching)及『干蝕刻』(dry etching)兩類。
通常所指蝕刻也稱光化學蝕刻（photochemical etching），指通過曝光製版、顯影後，將要蝕刻區域的保護膜去除，在蝕刻時接觸化學溶液，達到溶解腐蝕的作用，形成凹凸或者鏤空成型的效果。
最早可用來製造銅版、鋅版等印刷凹凸版，也廣泛地被使用於減輕重量(Weight Rection)儀器鑲板，名牌及傳統加工法難以加工之薄形工件等之加工；經過不斷改良和工藝設備發展，亦可以用於航空、機械、化學工業中電子薄片零件精密蝕刻產品的加工，特別在半導體製程上，蝕刻更是不可或缺的技術。

㈩ 蝕刻液是什麼

由氟化銨、草酸、硫酸鈉、氫氟酸、硫酸、硫酸銨、甘油、水組成。

1、氟化銨：分子式為NH4F，白色晶體，易潮解，易溶於水和甲醇，較難溶於乙醇，能升華，在蝕刻液中起腐蝕作用，一般選用工業產品。

2、草酸：在蝕刻液中作還原劑使用，一般選用工業產品。

3、硫酸鈉：在蝕刻液中作為填充劑使用，一般選用工業產品。

4、氫氟酸：即氟化氫的水溶液，為無色液體，能在空氣中發煙，有強烈腐蝕性和毒性，能侵蝕玻璃，需貯存於鉛制、蠟制或塑料容器中，可作為蝕刻玻璃的主要原料，一般選用工業品。

5、硫酸：純品為無色油狀液體，含雜質時呈黃、棕等色。用水稀釋時，應將濃硫酸慢慢注入水中，並隨時攪和，而不能將水倒入濃硫酸中，以防濃硫酸飛濺而引發事故，可作為腐蝕助劑，一般選用工業品。

6、硫酸銨：一般選用工業品。

7、甘油：一般選用工業品。

8、水：自來水。

(10)化學蝕刻液擴展閱讀

蝕刻液分類

已經使用的蝕刻液類型有六種類型：酸性氯化銅、鹼性氯化銅、氯化鐵、過硫酸銨、硫酸/鉻酸、硫酸/雙氧水蝕刻液。

酸性氯化銅，工藝體系，根據添加不同的氧化劑又可細分為鹽酸氯化銅+空氣體系、鹽酸氯化銅+氯酸鈉體系、鹽酸氯化銅+雙氧水體系三種蝕刻工藝，在生產過程中通過補加鹽酸+空氣、鹽酸+氯酸鈉、鹽酸+雙氧水和少量的添加劑來實現線路板板的連續蝕刻生產。