化學氣相沉積爐
化學抄氣相沉積過程襲中有化學反應，多種材料相互反應，生成新的的材料。
物理氣相沉積中沒有化學反應，材料只是形態有改變。
物理氣相沉積技術工藝過程簡單，對環境改善，無污染，耗材少，成膜均勻緻密，與基體的結合力強。缺點膜一基結合力弱,鍍膜不耐磨, 並有方 向性
化學雜質難以去除。優點可造金屬膜、非金屬膜,又可按要求製造多成分的合金膜,成膜速度快,膜的繞射性好
B. 化學氣相沉積法需要哪些實驗儀器和葯品
1,首先你需要一台化學氣相沉積機台，常見的有牛津的PECVD幾台。
2,葯品的話主要是一切特殊氣體，如硅烷，氮氣，氨氣，氧氣，笑氣，氟化碳氣體等。
3,試驗步驟建議使用田口的DOE實驗法，這樣你可以省去一些不必要的試驗。
C. 化學氣相沉積的特點
1)在中溫或高溫下，通過氣態的初始化合物之間的氣相化學反應而形成固體物質沉積在基體上。
2)可以在常壓或者真空條件下(負壓「進行沉積、通常真空沉積膜層質量較好)。
3)採用等離子和激光輔助技術可以顯著地促進化學反應，使沉積可在較低的溫度下進行。
4)塗層的化學成分可以隨氣相組成的改變而變化，從而獲得梯度沉積物或者得到混合鍍層。
5)可以控制塗層的密度和塗層純度。
6)繞鍍件好。可在復雜形狀的基體上以及顆粒材料上鍍膜。適合塗覆各種復雜形狀的工件。由於它的繞鍍性能好，所以可塗覆帶有槽、溝、孔，甚至是盲孔的工件。
7)沉積層通常具有柱狀晶體結構，不耐彎曲，但可通過各種技術對化學反應進行氣相擾動，以改善其結構。
8)可以通過各種反應形成多種金屬、合金、陶瓷和化合物塗層。
D. 熱化學的氣相沉積
熱化學氣相沉積是指採用襯底表面熱催化方式進行的化學氣相沉積。該方法沉積溫度較高，一般在800℃~1200℃左右，這樣的高溫使襯底的選擇受到很大限制，但它是化學氣相沉積的經典方法。
E. 什麼是化學氣相沉積
化學氣復相沉積是半導體技術制中一種常用的薄膜生長技術，這種技術使用化學的方法來沉積薄膜。化學氣相沉積包括
MOCVDPECVD
Image:Nuvola
apps
e
science.png
這是一個與化學相關的小作品，您可以幫助科印網路擴充其內容。en:Chemical
vapor
deposition
ja:化學気相成長
F. 化學氣相沉積和物理氣相沉積有何區別
我翻了《材料概論》半天終於找到。化學氣相沉積法CVD和等離子氣相沉積法PCVD兩者都是利用化學氣相法制備納米粉體的方法，在氣象條件下，首先形成離子或原子，然後長大形成所需粉體，得到超細粉體。對於他們的不同，CVD是在高溫遠高於臨界溫度下，產物蒸汽形成過飽和蒸氣壓，自動凝聚成晶核，在聚集成顆粒，在低溫區得到納米粉體。可以選擇條件來控制粉體的大小形狀等。對於PCVD，它是利用電弧產生高溫，將氣體等離子化，然後這些離子逐漸長大聚合，形成超細粉體，該方法反應溫度高，升溫冷卻速率較快。
G. 如何用化學氣相沉積法生長碳納米管
將制備好的催化劑置於氣氛爐中，升溫至約400-900度通入碳源（一般為烴），一般不到1個小時即可有碳管生成。
H. 名詞解釋 化學氣相沉積技術
化學氣相沉積是一種材料表面改性技術,它是在不改變基體材料的成份和不削弱基內體材料的強度的條件下容,賦予材料表面特殊的性能,滿足工程實際中對材料的要求。主要通過揮發物氣體分解或化合反應後在基體材料的表面沉積成膜,利用氣態或蒸汽態的物質在氣相或氣固界面上反應生成固態沉積物的技術。這種膜強化技術選用的基材廣泛、適用面廣。
I. 物理氣相沉積法與化學氣相沉積法有何區別
物理氣相沉積法與化學氣相沉積法有何區別
太一般了,CVD,PCD包含了多種制備方法,通過不同的制備方法製得的薄膜的結構和性質是不太一樣的...然而,比一般的CVD法的PVD的穩定性更好,但PVD增長通過以下方式獲得的膜的膜是比較快的