物理bank

㈠ 電腦內存中有一個術語Bank是啥意思

通常主板上的每個內存插槽分為兩段，這個大家從VIA主板BIOS設置中的BANK 0/1 DRAM Timing選項很容易推理得到，實際上也就是兩個BANK，不過這里的BANK概念與我們前面分析晶元內部結構時提到的BANK可不一樣。簡單地說這個BANK就是內存和主板上的北橋晶元之間用來交換數據的通道，目前以SDRAM系統為例，CPU與內存之間（就是CPU到DIMM槽）的介面位寬是64bit，也就意味著CPU一次會向內存發送或從內存讀取64bit的數據，那麼這一個64bit的數據集合就是一個內存條BANK，很多廠家的產品說明裡稱之為物理BANK（Physical BANK），目前絕大多數的晶元組都只能支持一根內存包含兩個物理BANK，但是針對某個具體的條子，很多人想當然，認為每個DIMM插槽使用內存條的面數來區分佔用幾個BANK通道，單面的（16M，64M）只佔用一個物理BANK，而雙面的（32M，128M）則需佔用兩個物理BANK。實際上物理BANK與面數是無關的，PCB電路可以設計成雙面和單面，也可把全部晶元（16顆）放在一面上（至少從理論上是完全可能）。有些內存條單面就是一個物理BANK，但有些雙面才是一個物理BANK，所以不能一概而論。前一陣鬧得沸沸揚揚的大度256MB內存條就是一個典型的例子，雖然是雙面並多達16枚晶元，但仍然是單個物理BANK的。要准確知道內存條實際物理BANK數量，我們只要要將單個晶元的邏輯BANK數量和位寬以及內存條上晶元個數搞清楚。各個晶元位寬之和為64就是單物理BANK，如果是128就是雙物理BANK。目前的晶元組最多支持2個物理BANK。所以內存廠家生產的內存條都不可能超過2個物理BANK。
CPU一次只能對一個物理BANK進行訪問和操作（因為一個物理BANK是64bit的位寬），那麼內存條要保證一個周期內向數據匯流排提供或接收64bit的數據，而這些數據都是分別存儲在內存條的的晶元中。那麼內存條中有多個內存晶元，這64位數據到底是有一個晶元提供還是由所有晶元每個提供一部分呢？我們還是以上面的那顆256Mbit的晶元為例，根據晶元組的工作原理，目前還沒有那家晶元生產廠家做出位寬16位以上的晶元，所以現在的晶元組設計時都是要求內存條上每個晶元均承擔提供數據的任務，也就是說內存條上的每個晶元都要要對這64位數據做貢獻，而那顆內存晶元的位寬是8位，因此用這個晶元組成內存條只需要8顆晶元即完成了64位數據並發任務，算下來，內存條的容量就是32 MB (256Mbit)×8=256MB的容量，假如是內存晶元的位寬是4位，那麼需要的晶元數量必須是16顆，這時假如使用八顆位寬還是8位的64MB（512bit）晶元（單個晶元的總容量翻了一番）組裝，盡管內存條上的總容量達到了256MB的要求，還是由於位寬不夠是不能正常工作。要能工作就必須採用16位位寬的64MB（512bit）晶元。

586以上電腦的數據匯流排寬度都是64bit，即每次讀取內存為64bit，SDRAM內存條的設計帶寬也是64bit，內存條的帶寬為條上各個內存晶元的帶寬之和，基本條件為帶寬之和應等於64bit或其倍數。假如出現了各個晶元位寬之和等於128。則分成兩個64位,當讀取一個64位部分時，另一個64位部分就不能讀取，通常很多廠家就分別將這兩部分放在內存的兩面上。這就造成了許多人的錯覺：雙面是兩個BANK的，單面是一個BANK的。實際根本不能這樣認識，比如大度256MB內存，盡管兩面16個晶元，但是由於內存晶元的位寬是4位（32Mbit×4）,所以必須要有4×16=64才能達到系統所要求的位寬。這時由於晶元大小的限制，不可能將16顆晶元都放在一面上（到目前位置筆者好象還沒有看到過這種設計，但理論上應該可以），所以只能設計成雙面。對於64Mbit晶元 (4M*16) 來說，晶元帶寬16bit，8顆晶元帶寬=16＊8=128bit（即兩個BANK），4顆晶元帶寬=16＊4=64bit（即一個BANK）。兩個物理BANK的情況只有出現在位寬超出了64位的情況下（即位寬出現了富餘），由於晶元組任一時刻只能處理一個64位，所以才分成兩個物理BANK。今後隨著新一代數據匯流排位寬的提高，也許CPU的胃口就不是一次只能64位數據了，可能是128位甚至更多。

另外我們常說的內存交錯設置並不是指的物理BANK的交錯。也就是說不是內存條雙面的交錯，而是指內存晶元內部邏輯BANK的交錯，如果晶元有4個BANK，那麼就可以進行4路交錯，如果只有兩個BANK就只能是二路交錯。很多資料介紹的以內存條的單面或雙面來決定交錯是錯誤的，實際上就是混淆了物理BANK和邏輯BANK的區別

㈡ 內存條的BANK數是指什麼呢

一．內存晶元的邏輯BANK
在晶元的內部，內存的數據是以位（bit）為單位寫入一張大的矩陣中，每個單元我們稱為CELL，只要指定一個行（Row），再指定一個列（Column），就可以准確地定位到某個CELL，這就是內存晶元定址的基本原理。這個陣列我們就稱為內存晶元的BANK，也稱之為邏輯BANK（Logical BANK）。由於工藝上的原因，這個陣列不可能做得太大，所以一般內存晶元中都是將內存容量分成幾個陣列來製造，也就是說存在內存晶元中存在多個邏輯BANK，隨著晶元容量的不斷增加，邏輯BANK數量也在不斷增加，目前從32MB到1GB的晶元基本都是4個，只有早期的16Mbit和32Mbit的晶元採用的還是2個邏輯BANK的設計，譬如三星的兩種16MB晶元：K4S161622D （512K x 16Bit x 2 BANK）和K4S160822DT（1M x 8Bit x 2 BANK）。晶元組本身設計時在一個時鍾周期內只允許對一個邏輯BANK進行操作（實際上晶元的位寬就是邏輯BANK的位寬），而不是晶元組對內存晶元內所有邏輯BANK同時操作。邏輯BANK的地址線是通用的，只要再有一個邏輯BANK編號加以區別就可以了（BANK0到BANK3）。但是這個晶元的位寬決定了一次能從它那裡讀出多少數據，並不是內存晶元里所有單元的數據一次全部能夠讀出
每個邏輯BANK有8M個單元格（CELL），一些廠商（比如現代/三星）就把每個邏輯BANK的單元格數稱為數據深度（Data Depth），每個單元由8bit組成，那麼一個邏輯BANK的總容量就是64Mbit（8M×8bit），4個邏輯BANK就是256Mbit，因此這顆晶元的總容量就是256Mbit（32MB）。
內存晶元的容量是一般以bit為單位的。比如說32Mbit的晶元，就是說它的容量是32Mb（b=bit=位），注意位（bit）與位元組（Byte）區別,這個晶元換算成位元組就是4MB（B=Byte=位元組=8個bit）,一般內存晶元廠家在晶元上是標明容量的，我們可以晶元上的標識知道，這個晶元有幾個邏輯BANK，每個邏輯bank的位寬是多少，每個邏輯BANK內有多少單元格（CELL），比如64MB和128MB內存條常用的64Mbit的晶元就有如下三種結構形式：

①16 Meg x 4 (4 Meg x 4 x 4 banks) [16M╳4]
②8 Meg x 8 (2 Meg x 8 x 4 banks) [8M╳8]
③4 Meg x 16 (1 Meg x 16 x 4 banks) [4M╳16]
表示方法是：每個邏輯BANK的單元格數×邏輯BANK數量×每個單元格的位數（晶元的位寬）。晶元邏輯BANK位寬目前的工藝水平只能最多做到16位，因此大家看到幾乎所有的晶元邏輯BANK位寬只可能4/8/16三者之一。以前16Mbit的晶元基本採用的單個晶元兩個邏輯BANK，但是到了64Mbit基本就都是4個邏輯BANK設計了
二．內存條的物理BANK
通常主板上的每個內存插槽分為兩段，這個大家從VIA主板BIOS設置中的BANK 0/1 DRAM Timing選項很容易推理得到，實際上也就是兩個BANK，不過這里的BANK概念與我們前面分析晶元內部結構時提到的BANK可不一樣。簡單地說這個BANK就是內存和主板上的北橋晶元之間用來交換數據的通道，目前以SDRAM系統為例，CPU與內存之間（就是CPU到DIMM槽）的介面位寬是64bit，也就意味著CPU一次會向內存發送或從內存讀取64bit的數據，那麼這一個64bit的數據集合就是一個內存條BANK，很多廠家的產品說明裡稱之為物理BANK（Physical BANK），目前絕大多數的晶元組都只能支持一根內存包含兩個物理BANK，但是針對某個具體的條子，很多人想當然，認為每個DIMM插槽使用內存條的面數來區分佔用幾個BANK通道，單面的（16M，64M）只佔用一個物理BANK，而雙面的（32M，128M）則需佔用兩個物理BANK。實際上物理BANK與面數是無關的，PCB電路可以設計成雙面和單面，也可把全部晶元（16顆）放在一面上（至少從理論上是完全可能）。有些內存條單面就是一個物理BANK，但有些雙面才是一個物理BANK，所以不能一概而論。256MB內存條就是一個典型的例子，雖然是雙面並多達16枚晶元，但仍然是單個物理BANK的。要准確知道內存條實際物理BANK數量，我們只要將單個晶元的邏輯BANK數量和位寬以及內存條上晶元個數搞清楚。各個晶元位寬之和為64就是單物理BANK，如果是128就是雙物理BANK。 CPU一次只能對一個物理BANK進行訪問和操作（因為一個物理BANK是64bit的位寬），那麼內存條要保證一個周期內向數據匯流排提供或接收64bit的數據，而這些數據都是分別存儲在內存條的的晶元中。那麼內存條中有多個內存晶元，這64位數據到底是有一個晶元提供還是由所有晶元每個提供一部分呢？我們還是以上面的那顆256Mbit的晶元為例，根據晶元組的工作原理，目前還沒有那家晶元生產廠家做出位寬16位以上的晶元，所以現在的晶元組設計時都是要求內存條上每個晶元均承擔提供數據的任務，也就是說內存條上的每個晶元都要要對這64位數據做貢獻，而那顆內存晶元的位寬是8位，因此用這個晶元組成內存條只需要8顆晶元即完成了64位數據並發任務，算下來，內存條的容量就是32 MB (256Mbit)×8=256MB的容量，假如是內存晶元的位寬是4位，那麼需要的晶元數量必須是16顆，這時假如使用八顆位寬還是8位的64MB（512bit）晶元（單個晶元的總容量翻了一番）組裝，盡管內存條上的總容量達到了256MB的要求，還是由於位寬不夠是不能正常工作。要能工作就必須採用16位位寬的64MB（512bit）晶元。
586以上電腦的數據匯流排寬度都是64bit，即每次讀取內存為64bit，SDRAM內存條的設計帶寬也是64bit，內存條的帶寬為條上各個內存晶元的帶寬之和，基本條件為帶寬之和應等於64bit或其倍數。假如出現了各個晶元位寬之和等於128。則分成兩個64位,當讀取一個64位部分時，另一個64位部分就不能讀取，通常很多廠家就分別將這兩部分放在內存的兩面上。這就造成了許多人的錯覺：雙面是兩個BANK的，單面是一個BANK的。實際根本不能這樣認識，比如大度256MB內存，盡管兩面16個晶元，但是由於內存晶元的位寬是4位（32Mbit×4）,所以必須要有4×16=64才能達到系統所要求的位寬。這時由於晶元大小的限制，不可能將16顆晶元都放在一面上，所以只能設計成雙面。對於64Mbit晶元 (4M*16) 來說，晶元帶寬16bit，8顆晶元帶寬=16＊8=128bit（即兩個BANK），4顆晶元帶寬=16＊4=64bit（即一個BANK）。兩個物理BANK的情況只有出現在位寬超出了64位的情況下（即位寬出現了富餘），由於晶元組任一時刻只能處理一個64位，所以才分成兩個物理BANK。今後隨著新一代數據匯流排位寬的提高，也許CPU的胃口就不是一次只能64位數據了，可能是128位甚至更多。
另外我們常說的內存交錯設置並不是指的物理BANK的交錯。也就是說不是內存條雙面的交錯，而是指內存晶元內部邏輯BANK的交錯，如果晶元有4個BANK，那麼就可以進行4路交錯，如果只有兩個BANK就只能是二路交錯。很多資料介紹的以內存條的單面或雙面來決定交錯是錯誤的，實際上就是混淆了物理BANK和邏輯BANK的區別。

㈢ 計算機中BANK是什麼意思

BANK是內存插槽的計算單位（也叫內存庫），它是電腦系統與內存之間數據匯流排的基本工作單位。只有插滿一個BANK，電腦才可以正常開機。

㈣ 電腦內存的單面與雙面，單Bank與雙Bank有什麼區別

何謂內存BANK
一般而言，各位注意了，是一般而言，單面內存每條擁有一組BANK，而雙面的內存則每條提供了兩組的BANK，之所以要強調一般而言我會在文中加以闡明。……什麼?不知道BANK為何物?好!那我就來解釋一下BANK先。 內存的BANK其實分為兩部分，邏輯BANK和物理BANK。
先來講講邏輯BANK。晶元的內部，內存的數據是以位(bit)為單位寫入一張大的矩陣中，每個單元格我們稱為CELL，只要指定一個行(Row)，再指定一個列(Column)，就可以准確地定位到某個CELL，這就是內存晶元定址的基本原理。這樣的一個陣列我們就叫它內存的邏輯BANK(Logical BANK)。
再來說說物理BANK。通常主板上的每個內存插槽分為兩段，這個大家從VIA主板BIOS設置中的BANK 0/1 DRAM Timing選項很容易推理得到，實際上也就是兩個BANK，不過這里的BANK概念與我們前面分析晶元內部結構時提到的BANK可不一樣。
簡單地說這個BANK就是內存和主板上的北橋晶元之間用來交換數據的通道，目前以SDRAM系統為例，CPU與內存之間(就是CPU到DIMM槽)的介面位寬是64bit，也就意味著CPU一次會向內存發送或從內存讀取64bit的數據，那麼這一個64bit的數據集合就是一個內存條BANK，很多廠家的產品說明裡稱之為物理BANK(Physical BANK)。
目前絕大多數的晶元組都只能支持一根內存包含兩個物理BANK，但是針對某個具體的條子，很多人想當然，認為每個DIMM插槽使用內存條的面數來區分佔用幾個BANK通道，單面的(16M，64M)只佔用一個物理BANK，而雙面的(32M，128M)則需佔用兩個物理BANK。實際上物理BANK與面數是無關的，PCB電路可以設計成雙面和單面，也可把全部晶元(16顆)放在一面上(至少從理論上是完全可能)。
有些內存條單面就是一個物理BANK，但有些雙面才是一個物理BANK，所以不能一概而論。256MB內存條就是一個典型的例子，雖然是雙面並多達16枚晶元，但仍然是單個物理BANK的。要准確知道內存條實際物理BANK數量，我們只要將單個晶元的邏輯BANK數量和位寬以及內存條上晶元個數搞清楚。各個晶元位寬之和為64就是單物理BANK，如果是128就是雙物理BANK。
CPU工作時與BANK的關系
CPU工作時，每次只訪問一個物理BANK，這是因為一個物理BANK的位寬是64Bit。CPU訪問的數據是存放在內存條的內存顆粒上的，現在的晶元組設計時都是要求內存條上每個晶元均承擔提供數據的任務，即內存條上的每個顆粒都要負擔這64bit數據的一部分。
這就要牽扯到我們上文所說得位寬的問題了，如果內存晶元的位寬是8位，那麼用這個晶元組成內存條只需要8顆晶元即完成了64位數據並發任務，如果是4位，那麼就需要16顆晶元才能達到64bit的要求。當內存條顆粒設計為位寬為8位，16顆內存顆粒的時候，內存條的位寬就變為6 x 16=128bit。所以就要設計為雙BANK。這是由於CPU一次只能處理64bit的數據所造成的。
以後隨著技術的進步，128bit,256bit都是可以實現的。以上就是所謂的邏輯BANK和物理BANK。 雖然這些區別不是很大，但是卻往往造成不小的問題，讓人頭痛。舉一個較古老的例子：曾經有一款大度256M內存採用單面了設計，僅有一組物理BANK。但是由於INTEL(Intel440BX，i815)晶元組只能正確識別單物理BANK最高容量為128M，這種情況造成大部分INTEL主板就無法完全使用大度256M內存的全部容量，只可以使用一半128M。
事實上很多類似的大容量內存不能為一些舊型號主板支持的主要原因就是晶元組對內存晶元的邏輯BANK數據深度有一定限制。我們知道晶元的容量主要由三個參數決定，首先是邏輯BANK的單元格數(數據深度)，其次是邏輯BANK的位數。最後是邏輯BANK的個數。三者相乘得到晶元的容量。
大度內存256MB之所以不能在440BX上用，就是由於BX晶元組只支持內存晶元的數據深度為4M，而不是8M，所以大度條子的內存晶元在BX板上被識別成4×4×4=64Mbit(8MB)，而不是本來的8×4×4=128Mbit(16MB)，現在很多大容量的內存沒有在BANK數和位寬上提高多少，基本都是增加晶元的數據深度，而這是需要晶元組支持的，象INTEL的LX/BX/810/815等老主板都只能支持最大4M，所以出問題再所難免。
單、雙面內存孰好孰壞
那這是不是意味著單面內存不好呢?答案是否定的，上述問題的罪魁禍首應該是INTEL晶元的SDRAM識別技術，VIA、ALI、SIS大部分晶元的主板就沒有問題。不過現在內存廠商考慮兼容性的問題，已經不生產單面256M的產品了，所以用戶一般不用考慮此環節。
另外如果在INTEL815晶元組的主板(如ASUS CUSL2)上插三條現代雙面128M的內存，系統就會自動把內存的時鍾頻率降到PC100來使用，而且使用過程中很不穩定，經常死機。出現這種情況是因為，INTEL815E晶元雖然有三個DIMM槽，但最多同時支持4組Bank運行在PC133狀態下，如果超過四組就會自動降至PC100。所以上述問題如果換用三條單面128M的內存就迎刃而解。
我們再以kingmax為例。對比KingMax PC150 128M兩個版本的產品(MPGA83S-68KX3 單面128M和MPGA83S-88KX3 雙面128M)，從外形上不難發現，凡1.0版的內存採用的都是16M×8，即單面八片結構的，而1.2版本的則是8MB×8即雙面十六片結構。
MPGA83S-68KX3
其實說了半天，也不是說單面內存就一定比雙面內存好，或者一定要在兩者之間區分伯仲。單、雙面內存它們的本身沒有好壞，區別也很小，只不過看哪種封裝被主板晶元組支持的更好罷了。不可否認的一點是，同等容量的內存，單面比雙面的集成度要高，生產日期要靠後，所以工作起來就更穩定。
但是升級內存的用戶請注意，一定要盡量保證升級前後，內存單、雙面的統一性，這樣可以最大程度的保證你系統的穩定。同時，對於廣大想要對老主板升級的用戶來說，分清楚自己主板所支持的范圍是最重要的，當然嘍，有些問題我們也可以通過升級新的主板bios達到支持的目的，但是這樣做的可操作性就不是很強了，要因人而異，因板而異了。

㈤ 內存ddr3上的bank0,bank1,bank2表示什麼意思坐等！！！

開機後的第二個畫面可查看到內存的Bank信息，為雙Bank的SDRAM內存用最小化系統啟動計算機，即只採用主板、CPU、內存和顯卡。在開機後的第二個畫面按鍵盤上的"Pause" 鍵暫停，如果內存是SDRAM，則會看到：

sdram at bank：0此為單bank；

sdram at bank：0，1此為雙bank；

如內存是DDR SDRAM，則會看到：

ddr sdram at bank：0此為單bank；

ddr sdram at bank：0，1此為雙bank。

(5)物理bank擴展閱讀：

目前市場上的主流主板大都支持4或者6個Bank，對於Intel 82845這種支持4個Bank的晶元組來說，在選購內存時就要多加一分留意。因為現在很多內存都是雙Bank的，這意味著在Intel 82845晶元組上最多隻能使用兩條這樣的內存，多了晶元組將無法識別。

最好根據自己的主板所提供的內存插槽數目來選購內存，如果主板只提供了兩個內存插槽，那就不必為內存是單Bank還是雙Bank而擔心了。而如果主板提供了4個內存插槽(同一種規格)，那麼應該盡量購買單Bank或大容量雙Bank的內存，以免給日後升級留下不必要的麻煩。

㈥ memory中，rank和bank有什麼區別

ranks和banks都是內存的指標，但這兩種指標的含義是有很大區別的。區別如下：
一、ranks的含義。
ranks指的是一組或幾組內存晶元，晶元分為兩種4位與8位，由於中央處理器處理能力為64位，如果內存要達到中央處理器處理能力，就把Chips組成了Rank；簡單理解就是64位為一個rank。內存可以分為single rank、al rank和double rank。
二、banks的含義。
傳統內存系統為了保證CPU的正常工作，必須一次傳輸完CPU在一個傳輸周期內所需要的數據。而CPU在一個傳輸周期能接收的數據容量就是CPU數據匯流排的位寬，單位是bit（位）。內存與CPU之間的數據交換通過主板上的北橋晶元進行，內存匯流排的數據位寬等同於CPU數據匯流排的位寬，這個位寬就稱之為物理Bank（Physical
Bank，簡稱P-Bank）的位寬。以目前主流的DDR系統為例，CPU與內存之間的介面位寬是64bit，也就意味著CPU在一個周期內會向內存發送或從內存讀取64bit的數據，那麼這一個64bit的數據集合就是一個內存條Bank。不過以前有不少朋友都認為，內存的物理Bank是由面數決定的：即單面內存條則包含一個物理Bank，雙面內存則包含兩個。其實這個看法是錯誤的。
一條內存條的物理Bank是由所採用的內存顆粒的位寬決定的，各個晶元位寬之和為64bit就是單物理Bank；如果是128bit就是雙物理Bank。讀到這里，大家也應該知道，我們可以通過兩種方式來增加這種類型內存的容量。第一種就是通過增加每一個獨立模塊的容量來增加Bank的容量，第二種方法就是增加Bank的數目。由於目前內存顆粒位寬的限制，一個系統只有一個物理Bank已經不能滿足容量的需要。所以，目前新一代晶元組可以支持多個物理Bank，最少的也能支持4個物理Bank。對於像Intel i845D這種支持4個Bank的晶元組來說，在選購內存時就要考慮一下插槽數與內存Bank 的分配問題了。因為如果選購雙Bank的內存，這意味著在Intel i845D晶元組上最多隻能使用兩條這樣的內存，多了的話晶元組將無法識別。這里我建議大家最好根據自己的主板所提供的內存插槽數目來選購內存，如果主板只提供了兩個內存插槽，那就不必為內存是單Bank還是雙Bank而擔心了。而如果主板提供了4個內存插槽（同一種規格），那麼應該盡量購買單Bank或大容量雙Bank的內存，以免給日後升級留下不必要的麻煩。
SDRAM與DDR內存的物理Bank是一樣的，不過在RDRAM內存規格中，物理Bank被通道（Channel）取代。

㈦ 內存上經常說Bank是什麼意思

內存的BANK其實分為兩部分，邏輯BANK和物理BANK。

先來講講邏輯BANK。晶元的內部，內存的數據是以位（bit）為單位寫入一張大的矩陣中，每個單元格我們稱為CELL，只要指定一個行（Row），再指定一個列（Column），就可以准確地定位到某個CELL，這就是內存晶元定址的基本原理。這樣的一個陣列我們就叫它內存的邏輯BANK（Logical BANK）。

再來說說物理BANK。通常主板上的每個內存插槽分為兩段，這個大家從VIA主板BIOS設置中的BANK 0/1 DRAM Timing選項很容易推理得到，實際上也就是兩個BANK，不過這里的BANK概念與我們前面分析晶元內部結構時提到的BANK可不一樣。

簡單地說這個BANK就是內存和主板上的北橋晶元之間用來交換數據的通道，目前以SDRAM系統為例，CPU與內存之間（就是CPU到DIMM槽）的介面位寬是64bit，也就意味著CPU一次會向內存發送或從內存讀取64bit的數據，那麼這一個64bit的數據集合就是一個內存條BANK，很多廠家的產品說明裡稱之為物理BANK（Physical BANK）。

目前絕大多數的晶元組都只能支持一根內存包含兩個物理BANK，但是針對某個具體的條子，很多人想當然，認為每個DIMM插槽使用內存條的面數來區分佔用幾個BANK通道，單面的（16M，64M）只佔用一個物理BANK，而雙面的（32M，128M）則需佔用兩個物理BANK。實際上物理BANK與面數是無關的，PCB電路可以設計成雙面和單面，也可把全部晶元（16顆）放在一面上（至少從理論上是完全可能）。

有些內存條單面就是一個物理BANK，但有些雙面才是一個物理BANK，所以不能一概而論。256MB內存條就是一個典型的例子，雖然是雙面並多達16枚晶元，但仍然是單個物理BANK的。要准確知道內存條實際物理BANK數量，我們只要將單個晶元的邏輯BANK數量和位寬以及內存條上晶元個數搞清楚。各個晶元位寬之和為64就是單物理BANK，如果是128就是雙物理BANK。

㈧ 怎麼看內存條有幾個bank

對新入道的朋友來說，購買內存時一般不會去注意這個問題，所以常常會碰上莫名其妙的內存兼容性問題，而給舊機加內存的朋友為此而遇上的苦惱更多。 為什麼要弄清自己要買的內存是單bank還是雙bank？一句話----為了少花冤枉錢、跑冤枉路。現在用於個人電腦上的晶元組普遍最多隻能支持 4個bank，如果有誰把自己電腦上三個或四個內存槽全插上了雙bank內存，不僅無法被正確識別，還可能連機都開不了。 由於各廠家內存顆粒的設計方案不同，現在市面上又是多種多代內存並存，一兩句話很難說清如何判斷單雙bank內存。平時很多人認為單面內存就是單Bank，雙面內存就是雙bank，包括不少賣家也都這么看。 其實並非如此。 單面內存一般是單bank的，但也有例外，而雙面內存使用單bank就不是很個別的現象了。要弄清自己買的內存是單bank還是雙bank，准確的方法是： 內存晶元的數據寬度 × 全部晶元數量 ￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣￣ 如果得數是64，那麼就是單bank，如果是128，則是雙bank。內存規范規定64位數據寬度為一個物理bank，這是由於當前的CPU一次只能並行讀寫64位數據，也就是在同一瞬間只能讀寫1個物理bank。 數據寬度在內存晶元上都有標明，問題是各家的標示方法五花八門，所以只能根據實例來講。下面列舉幾個常用品牌的例子，便於各位掌握。 現代晶元：（例：HY57V65《80》10CTC-10s，書名號是我加的，下同）這是一顆64Mbit（8MB）的SDEAM，而位於第8、9兩位的數字80表示其數據寬度是8bit，現代用40、80、16、32來分別表示4bit、8bit、16bit、32bit 的數據寬度。用8顆這種晶元組裝起來的內存條就是單bank，用16顆組裝的則是雙bank。 （其他各個字母和數字的含義，請參見9月3日大天使在假貨組的貼子及 liuting525的跟貼，下同。） 三星晶元：（例：K4H28《08》38B-TCB0）這是一顆128Mb（16MB）DDR，第 6、7位的「08」表示其數據帶寬為8bit，如果一條內存上有16顆這種晶元，肯定是雙bank了。 Micron（美光）晶元：（例：MT46V32M《4》-75）16MB容量、4bit數據寬度的DDR顆粒。 Kingmax：標示方法拐彎太多了，讓人算半天才知道它的容量，對買家來說不太直觀，好在我們這里只談如何判斷bank數，記著第5位用4、8、6、2分別表示4bit、8bit、16bit、32bit的數據寬度就行了。如： KSV2《4》4T4XXX——128Mbits，32M地址空間 × 4位數據寬度； KSV6《8》4T4XXX——128Mbits，16M地址空間 × 8位數據寬度； KSV8《6》4T4XXX——128Mbits，8M地址空間 × 16位數據寬度。 在配置內存特別是升級系統時，除了要考慮內存條的bank數外，還要考慮主板晶元組所支持的最大單條內存容量，如440BX晶元組只能識別單條 128M的內存，想在這種主板上升級內存的朋友，就別多花錢去買256M的內存條了。