等離子體化學氣相沉積

❶ 微波等離子體化學氣象沉積的工作原理

CVD法制備金剛石膜的工藝已經開發出很多種，其中主要有：熱絲法（Hot Filament CVD, 簡稱HFCVD）[1]、微波法（Microwave Plasma CVD, 簡稱MPCVD）[2]、直流等離子體炬法（DC Plasma-jet CVD）[3]和氧-乙炔燃燒火焰法（Oxy-acetylene Combustion Flame）[4]。其中，微波法是用電磁波能量來激發反應氣體。由於是無極放電，等離子體純凈，同時微波的放電區集中而不擴展，能激活產生各種原子基團如原子氫等，產生的離子的最大動能低，不會腐蝕已生成的金剛石。與熱絲法相比，避免了熱絲法中因熱金屬絲蒸發而對金剛石膜的污染[5]以及熱金屬絲對強腐蝕性氣體如高濃度氧、鹵素氣體等十分敏感等缺點，使得在工藝中能夠使用的反應氣體的種類比HFCVD中多許多；與直流等離子體炬相比，微波功率調節連續平緩，使得沉積溫度可連續穩定變化，克服了直流電弧法中因電弧的點火及熄滅而對襯底和金剛石膜的巨大熱沖擊而造成在DC plasma-jet CVD中金剛石膜很容易從基片上脫落[6]；通過對MPCVD沉積反應室結構的結構調整，可以在沉積腔中產生大面積而又穩定的等離子體球，因而有利於大面積、均勻地沉積金剛石膜，這一點又是火焰法所難以達到的[7]，因而微波等離子體法制備金剛石膜的優越性在所有制備法中顯得十分的突出

------優普萊等離子體專業從事等離子體的研發

❷ 磁控濺射鍍膜與等離子體化學氣相沉積鍍膜的區別

樓主概念不對
膜層一般為蒸發鍍膜、濺射鍍膜、噴塗鍍膜、電離鍍膜等方法。內
濺射鍍膜過程中，在靶與容基體之間形成了含有離子、電子、中性原子團組成的對外顯中性的氣體，這就是等離子體。
濺射鍍膜過程分為物理氣象沉積、化學氣象沉積、物理/化學氣象沉積他們都是在等離子體中形成的。
物理氣象沉積，是等離子體中的正離子轟擊靶表面轟擊來的分子/原子濺射到基體表面，飛行過程中並為發生任何反應。
化學氣象沉積，是等離子體中的正離子轟擊靶表面轟出來的分子/原子濺射到基體表面，飛行過程中發生了化學反應。
不過一般的磁控濺射都是物理、化學氣象沉積的共同結果。
我這樣說樓主是否能夠清楚一些？

❸ 化學沉積的化學氣相沉積CVD

(Chemical Vapor Deposition)是利用加熱，等離子體激勵或光輻射等方法，使氣態或蒸汽狀態的化學物內質發生反應並以原容子態沉積在置於適當位置的襯底上，從而形成所需要的固態薄膜或塗層的過程。化學氣相沉積是一種非常靈活、應用極為廣泛的工藝方法，可以用來制備各種塗層、粉末、纖維和成型元器件。特別在半導體材料的生產方面，化學氣相沉積的外延生長顯示出與其他外延方法（如分子束外延、液相外延）無與倫比的優越性，即使在化學性質完全不同的襯底上，利用化學氣相沉積也能產生出晶格常數與襯底匹配良好的外延薄膜。此外，利用化學氣相沉積還可生產耐磨、耐蝕、抗氧化、抗沖蝕等功能塗層。在超大規模集成電路中很多薄膜都是採用CVD方法制備。

❹ 物理氣相沉積法與化學氣相沉積法有何區別

物理氣相沉積法與化學氣相沉積法有何區別
太一般了,CVD,PCD包含了多種制備方法,通過不同的制備方法製得的薄膜的結構和性質是不太一樣的...然而,比一般的CVD法的PVD的穩定性更好,但PVD增長通過以下方式獲得的膜的膜是比較快的

❺ 等離子體增強化學氣相沉積PEVCD的研究現狀

標題：圖抄4銥塗層的化學氣相襲沉積裝置示意圖 Fig.4 Schematic diagram of CVD apparatus for iridium coat-ings
篇名：化學氣相沉積技術與材料制備
說明：80年代中期以來美國國家航空與宇宙航天局(NASA)採用金屬有機化合物化學氣相沉積法(MOCVD)成功制備出錸基銥塗層復合噴管[14~19],化學氣相矯JFD2001